Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 7.86 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPBE65R099CFD7AATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPBE65R099CFD7AATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-3-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie CoolMOS™ CFD7A	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2513 pF @ 400 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 127W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-3-10
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche), TO-263CB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 12,5A, 10V	Basis-Produktnummer IPBE65
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 630µA