Name: IPB65R041CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R041CFD7ATMA1TR-ND
Price: 9.888 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB65R041CFD7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB65R041CFD7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB65R041CFD7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB65R041CFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R041CFD7ATMA1
Beschreibung	HIGH POWER_NEW
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 50 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R041CFD7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,24mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 102 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4975 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB65R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 24,8A, 10V