Name: IPB60R060P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R060P7ATMA1TR-ND
Price: 6.3 EUR
Availability: InStock

IPB60R060P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB60R060P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB60R060P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB60R060P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB60R060P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 48 A (Tc) 164W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB60R060P7ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	48 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 15,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 800µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2895 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	164W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IPB60R060

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1 000	€ 1,96759	€ 1.967,59
2 000	€ 1,88721	€ 3.774,42

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,25000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 6,30000

IPB60R060P7ATMA1