Name: IPB160N04S2L03ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB160N04S2L03ATMA2TR-ND
Price: 4.596 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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N-Kanal 40 V 160 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-3

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IPB160N04S2L03ATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPB160N04S2L03ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB160N04S2L03ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB160N04S2L03ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB160N04S2L03ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 160 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB160N04S2L03ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	160 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,7mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	230 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6000 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer	IPB160N