Name: IPB037N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB037N06N3GATMA1TR-ND
Price: 2.868 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB037N06N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB037N06N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB037N06N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB037N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB037N06N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 90 A (Tc) 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB037N06N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 90µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 98 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11000 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB037
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,7mOhm bei 90A, 10V