N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
TO-220-3-Full-Pack

IPAW60R180P7SXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPAW60R180P7SXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
Datenblatt
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Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 280µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1081 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220 voller Pack
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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