Name: IPAN70R360P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN70R360P7SXKSA1-ND
Price: 1.812 EUR
Availability: OutOfStock

IPAN70R360P7SXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPAN70R360P7SXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPAN70R360P7SXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	31 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 12,5 A (Tc) 26,5W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPAN70R360P7SXKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	360mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	517 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	26,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	IPAN70

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,51000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,81200

IPAN70R360P7SXKSA1