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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPAN60R210PFD7SXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAN60R210PFD7SXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 16A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 30 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 25W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPAN60R210PFD7SXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 210mOhm bei 4,9A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 240µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1015 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 756
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,34000 | € 2,34 |
| 50 | € 1,14500 | € 57,25 |
| 100 | € 1,02950 | € 102,95 |
| 500 | € 0,82684 | € 413,42 |
| 1 000 | € 0,76168 | € 761,68 |
| 2 000 | € 0,70692 | € 1.413,84 |
| 5 000 | € 0,64769 | € 3.238,45 |
| 10 000 | € 0,62850 | € 6.285,00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,34000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,80800 |
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