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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPA65R1K0CEXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPA65R1K0CEXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPA65R1K0CEXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7,2 A (Tc) 68W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPA65R1K0CEXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nur verfügbar bis | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1Ohm bei 1,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 200µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 15.3 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 328 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-FP | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1 445
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Verfügbar bis: 30.09.2026
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,44000 | € 1,44 |
| 50 | € 0,67800 | € 33,90 |
| 100 | € 0,60410 | € 60,41 |
| 500 | € 0,47416 | € 237,08 |
| 1 000 | € 0,43234 | € 432,34 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,44000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,72800 |
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