N-Kanal 750 V 75 A (Tj) 278W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4
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IMZA75R020M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZA75R020M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZA75R020M1HXKSA1
Beschreibung
SILICON CARBIDE MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 750 V 75 A (Tj) 278W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 11,7mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
67 nC @ 18 V
Serie
Vgs (Max.)
+23V, -5V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2217 pF @ 500 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
750 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 20V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 32,5A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AIMZA75R020M1HXKSA1Infineon Technologies0448-AIMZA75R020M1HXKSA1-ND€ 16,79000Parametrisches Äquivalent
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Stange
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30€ 9,70400€ 291,12
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510€ 7,91927€ 4.038,83
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