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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,2mOhm bei 90,3A, 20V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 32,4mA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 178 nC @ 500 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +23V, -5V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6137 pF @ 500 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 517W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-U02 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Gehäuse / Hülle |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 31,82000 | € 31,82 |
| 30 | € 21,00633 | € 630,19 |
| 120 | € 19,47167 | € 2.336,60 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 31,82000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 38,18400 |
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