Name: IMYR140R019M2HXLSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYR140R019M2HXLSA1-ND
Price: 19.836 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1400 V 100 A (Tc) 385W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-18

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMYR140R019M2HXLSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMYR140R019M2HXLSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMYR140R019M2HXLSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1400 V 100 A (Tc) 385W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-18
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19mOhm bei 40,4A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 12,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 90 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2860 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 385W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1400 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-18
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 405

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 16,53000	€ 16,53
30	€ 10,29267	€ 308,78
120	€ 8,92700	€ 1.071,24
510	€ 8,39692	€ 4.282,43

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.