Name: IMW120R350M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R350M1HXKSA1-ND
Price: 6.492 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 4,7 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMW120R350M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IMW120R350M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMW120R350M1HXKSA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 4,7 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMW120R350M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 1mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.3 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 182 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Basis-Produktnummer IMW120
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 455mOhm bei 2A, 18V

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 5,41000	€ 5,41
30	€ 3,06600	€ 91,98
120	€ 2,55025	€ 306,03
510	€ 2,17214	€ 1.107,79
1 020	€ 2,03417	€ 2.074,85
2 010	€ 1,96401	€ 3.947,66

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