Name: IMTA65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.368 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMTA65R020M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMTA65R020M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMTA65R020M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMTA65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMTA65R020M2HXTMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 77 A (Tc) 416W (Tc)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMTA65R020M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V
Herst. Infineon Technologies	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 46,9A, 20V
Serie CoolSiC™	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 9,5mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 18 V
Status der Komponente Aktiv	Vgs (Max.) +23V, -7V
FET-Typ N-Kanal	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2038 pF @ 400 V
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Verlustleistung (max.) 416W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 77 A (Tc)