N-Kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
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IMT65R50M2HXUMA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMT65R50M2HXUMA1
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
62mOhm bei 18,2A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 3,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
790 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
237W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle
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