Name: IMBG65R107M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND
Price: 7.008 EUR
Availability: InStock

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IMBG65R107M1HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R107M1HXTMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG65R107M1HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 2,6mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15 nC @ 18 V
Serie CoolSIC™ M1	Vgs (Max.) +23V, -5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 496 pF @ 400 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Basis-Produktnummer IMBG65R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 141mOhm bei 8,9A, 18V