IGBT 650 V 74 A 255 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGP40N65H5XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IGP40N65H5XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IGP40N65H5XKSA1
Beschreibung
IGBT 650V 74A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 650 V 74 A 255 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
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IGP40N65H5XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
74 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 40A
Leistung - Max.
255 W
Schaltenergie
390µJ (Ein), 120µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
95 nC
Td (on/off) bei 25°C
22ns/165ns
Testbedingung
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Basis-Produktnummer
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