Name: IGOT65R045D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R045D2AUMA1TR-ND
Price: 9 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGOT65R045D2AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGOT65R045D2AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGOT65R045D2AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGOT65R045D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGOT65R045D2AUMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 34A 20BFSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 109W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-20-91
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGOT65R045D2AUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,6V bei 3,3mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max.) -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 430 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 109W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-DSO-20-91
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 34 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 20-BFSOP (0,295", 7,50mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 54mOhm bei 10A