Dioden 600 V 10A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
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IDH10SG60CXKSA2

DigiKey-Teilenr.
IDH10SG60CXKSA2-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IDH10SG60CXKSA2
Beschreibung
DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2201
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 600 V 10A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
2.1 V @ 10 A
Geschwindigkeit
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
90 µA @ 600 V
Kapazität bei Vr, F
290pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
IDH10SG60
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