Name: IDH02G120C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDH02G120C5XKSA1-ND
Price: 2.964 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IDH02G120C5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IDH02G120C5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IDH02G120C5XKSA1
Beschreibung	DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 1200 V 2A Durchkontaktierung PG-TO220-2-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IDH02G120C5XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.65 V @ 2 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	18 µA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F	182pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang	175°C (max.)
Basis-Produktnummer	IDH02G120

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500	€ 0,88782	€ 443,91
1 000	€ 0,81961	€ 819,61
2 000	€ 0,76228	€ 1.524,56
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