Name: IAUZ40N08S5N100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

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IAUZ40N08S5N100ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUZ40N08S5N100ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUZ40N08S5N100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUZ40N08S5N100ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 40 A (Tc) 68W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUZ40N08S5N100ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 27µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24.2 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1591 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10mOhm bei 20A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN