Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 4.38 EUR
Availability: InStock

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IAUT200N08S5N023ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUT200N08S5N023ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 200 A (Tc) 200W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUT200N08S5N023ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7670 pF @ 40 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 100A, 10V	Basis-Produktnummer IAUT200
Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 130µA