Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 4.656 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUS200N08S5N023ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUS200N08S5N023ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 200 A (Tc) 200W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOG-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 130µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7670 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOG-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSMD, abgewinkelte Anschlüsse
Basis-Produktnummer	IAUS200