Name: IAUMN08S5N013GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN08S5N013GAUMA1TR-ND
Price: 5.82 EUR
Availability: InStock

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IAUMN08S5N013GAUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUMN08S5N013GAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUMN08S5N013GAUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUMN08S5N013GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUMN08S5N013GAUMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 250A (Tj) 307W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOG-4-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUMN08S5N013GAUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 214µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 179 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12496 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 307W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 250A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOG-4-1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,3mOhm bei 100A, 10V	Gehäuse / Hülle 4-PowerSFN