Name: IAUCN08S7N013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N013ATMA1TR-ND
Price: 4.992 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN08S7N013ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN08S7N013ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN08S7N013ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN08S7N013ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN08S7N013ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 274A (Tj) 219W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-53
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,2V bei 130µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 116 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8402 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 219W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 274A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-53
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,3mOhm bei 88A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN