Name: IAUC60N10S5L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND
Price: 2.268 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUC60N10S5L110ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC60N10S5L110ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 88W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-33
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC60N10S5L110ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 30µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1665 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-33
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 30A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN