FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | FET- und MOSFET-Arrays

MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY1BM-2

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FS45MR12W1M1B11BOMA1
DigiKey-Teilenr.	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Beschreibung	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY1BM-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 25A, 15V (typisch)
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,55V bei 10mA
Serie CoolSiC™+	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 62nC bei 15V
Verpackung Tablett	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1840pF bei 800V
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Montagetyp Chassisbefestigung
Konfiguration 6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)	Gehäuse / Hülle Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäusetyp vom Lieferanten AG-EASY1BM-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25A (Tj)	Basis-Produktnummer FS45MR12

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