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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
F445MR12W1M1B76BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-F445MR12W1M1B76BPSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | F445MR12W1M1B76BPSA1 |
Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY1B-2 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | F445MR12W1M1B76BPSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Obsolet | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 4 N-Kanal (Vollbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 25A (Tj) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 45mOhm bei 25A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,55V bei 10mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 62nC bei 15V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1840pF bei 800V | |
Leistung - Max. | - | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | AG-EASY1B-2 | |
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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Österreich