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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
Standardlieferzeit des Herstellers | 29 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Chassisbefestigung AG-EASY2B |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 100A, 18V |
Hersteller Infineon Technologies | Vgs(th) (max.) bei Id 5,15V bei 40mA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 297nC bei 18V |
Verpackung Tablett | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8800pF bei 800V |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ) |
Technologie Siliziumkarbid (SiC) | Montagetyp Chassisbefestigung |
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke) | Gehäuse / Hülle Modul |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV) | Gehäusetyp vom Lieferanten AG-EASY2B |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 85A (Tj) | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 101,89000 | € 101,89 |
| 18 | € 82,28944 | € 1.481,21 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 101,89000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 122,26800 |
