SRAM - Zwei Ports, synchron Speicher IC 2Mbit Parallel 200 MHz 3.3 ns 256-FBGA (17x17)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CYD02S36V18-200BBXC

DigiKey-Teilenr.
CYD02S36V18-200BBXC-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
CYD02S36V18-200BBXC
Beschreibung
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SRAM - Zwei Ports, synchron Speicher IC 2Mbit Parallel 200 MHz 3.3 ns 256-FBGA (17x17)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
CYD02S36V18-200BBXC Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Obsolet
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
SRAM
Technologie
SRAM - Zwei Ports, synchron
Speichergröße
2Mbit
Speicherorganisation
64K x 36
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
3.3 ns
Spannung - Versorgung
1,7V bis 1,9V
Betriebstemperatur
0°C bis 70°C (TA)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
256-LBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
256-FBGA (17x17)
Basis-Produktnummer
CYD02S36
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Obsolet
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe