Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N03MSGATMA1TR-ND
Price: 1.044 EUR
Availability: InStock

BSZ100N03MSGATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ100N03MSGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ100N03MSGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ100N03MSGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 10 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 30W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ100N03MSGATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,1mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1700 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ100

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,87000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,04400

BSZ100N03MSGATMA1