Name: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 2.364 EUR
Availability: InStock

BSZ097N10NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ097N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ097N10NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 8 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ097N10NS5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,7mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 36µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2080 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ097

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
5 000	€ 0,52966	€ 2.648,30
10 000	€ 0,49974	€ 4.997,40

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,97000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,36400

BSZ097N10NS5ATMA1