BSZ0602LSATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Infineon Technologies

Vorrätig: 681

Stückpreis : € 1,66000

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BSZ0602LSATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSZ0602LSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ0602LSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 13A (Ta), 40A (Tc) 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ0602LSATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13A (Ta), 40A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 36µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2340 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSZ0602