Name: BSZ011NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 1.836 EUR
Availability: InStock

BSZ011NE2LS5IATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSZ011NE2LS5IATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSZ011NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ011NE2LS5IATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 35A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-34
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ011NE2LS5IATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35A (Ta), 40A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,1mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3400 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-34
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	BSZ011

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,53000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,83600

BSZ011NE2LS5IATMA1