Name: BSS64E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2156-BSS64E6327-ND
Price: 0.0408 EUR
Availability: InStock

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 800 mA 100MHz 330 mW Oberflächenmontage SOT-23

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BSS64E6327
DigiKey-Teilenr.	2156-BSS64E6327-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS64E6327
Beschreibung	TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 800 mA 100MHz 330 mW Oberflächenmontage SOT-23
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)
Herst. Infineon Technologies	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 20 bei 4mA, 1V
Verpackung Lose im Beutel	Leistung - Max. 330 mW
Status der Komponente Aktiv	Frequenz - Übergang 100MHz
Transistor-Typ NPN	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800 mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80 V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 700mV bei 400µA, 4mA	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23

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