Name: BSC600N25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC600N25NS3GATMA1TR-ND
Price: 4.452 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC600N25NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC600N25NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC600N25NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC600N25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC600N25NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 25 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC600N25NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 90µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2350 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BSC600
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 25A, 10V