Name: BSC100N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC100N10NSFGATMA1TR-ND
Price: 2.904 EUR
Availability: InStock

BSC100N10NSFGATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC100N10NSFGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC100N10NSFGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC100N10NSFGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC100N10NSFGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11,4 A (Ta), 90 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC100N10NSFGATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,4 A (Ta), 90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 110µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2900 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC100

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
5 000	€ 0,67495	€ 3.374,75
10 000	€ 0,65750	€ 6.575,00

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,42000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,90400

BSC100N10NSFGATMA1