Name: BSC098N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC098N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC098N10NS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC098N10NS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC098N10NS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC098N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC098N10NS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC098N10NS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 36µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2100 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-7
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer BSC098
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,8mOhm bei 30A, 10V