Name: BSC077N12NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC077N12NS3GATMA1TR-ND
Price: 3.804 EUR
Availability: InStock

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BSC077N12NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC077N12NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC077N12NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC077N12NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC077N12NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 13,4 A (Ta), 98 A (Tc) 139W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC077N12NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 110µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 88 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5700 pF @ 60 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 139W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13,4 A (Ta), 98 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BSC077
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,7mOhm bei 50A, 10V