Name: BSC0501NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC0501NSIATMA1TR-ND
Price: 1.908 EUR
Availability: InStock

BSC0501NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC0501NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC0501NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC0501NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC0501NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 29 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2200 pF @ 15 V
FET-Merkmal	Schottky-Diode (Körper)
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	BSC0501

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,59000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,90800

BSC0501NSIATMA1