BSB280N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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Infineon Technologies

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BSB280N15NZ3GXUMA1
DigiKey-Teilenr.	BSB280N15NZ3GXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSB280N15NZ3GXUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 9 A (Ta), 30 A (Tc) 2,8W (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage MG-WDSON-2, CanPAK M™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSB280N15NZ3GXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 60µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 75 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 2,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten MG-WDSON-2, CanPAK M™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Ta), 30 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 3-WDSON
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BSB280
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28mOhm bei 30A, 10V