BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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Infineon Technologies

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BSB165N15NZ3GXUMA1
DigiKey-Teilenr.	BSB165N15NZ3GXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSB165N15NZ3GXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSB165N15NZ3GXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSB165N15NZ3GXUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 9 A (Ta), 45 A (Tc) 2,8W (Ta), 78W (Tc) Oberflächenmontage MG-WDSON-2, CanPAK M™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 110µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2800 pF @ 75 V
Status der Komponente Bei DigiKey nicht mehr erhältlich	Verlustleistung (max.) 2,8W (Ta), 78W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten MG-WDSON-2, CanPAK M™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Ta), 45 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 3-WDSON
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Basis-Produktnummer BSB165
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,5mOhm bei 30A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
BSB165N15NZ3GXUMA3	Infineon Technologies	0	448-BSB165N15NZ3GXUMA3TR-ND	€ 0,92958	Vom Hersteller empfohlen
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