Name: AIMZHN120R020M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R020M1TXKSA1-ND
Price: 31.32 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-14

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMZHN120R020M1TXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMZHN120R020M1TXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMZHN120R020M1TXKSA1
Beschreibung	SIC_DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-14
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 43A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 13,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2667 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	429W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-14
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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30	€ 17,00667	€ 510,20
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