Name: AIMZA75R008M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZA75R008M1HXKSA1-ND
Price: 40.704 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMZA75R008M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMZA75R008M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMZA75R008M1HXKSA1
Beschreibung	AUTOMOTIVE_SICMOS
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AIMZA75R008M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 32,4mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 178 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +23V, -5V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6137 pF @ 500 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 517W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 163 A (Tc)	Montagetyp Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-U02
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,2mOhm bei 90,3A, 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

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30	€ 22,49800	€ 674,94
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