Name: AIMBG120R040M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R040M1XTMA1TR-ND
Price: 13.896 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMBG120R040M1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMBG120R040M1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-AIMBG120R040M1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMBG120R040M1XTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 54 A (Tc) 268W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AIMBG120R040M1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 20 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) +25V, -10V
Serie CoolSiC™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1264 pF @ 800 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 268W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 54 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V, 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 20A, 20V	Basis-Produktnummer AIMBG120
Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 6,4mA