Name: AIMBG75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 35.232 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMBG75R007M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMBG75R007M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-AIMBG75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies Americas Corp.
Hersteller-Teilenummer	AIMBG75R007M2HXTMA1
Beschreibung	AIMBG75R007M2HXTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 198A (Tc) 651W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AIMBG75R007M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 28,5mA
Herst. Infineon Technologies Americas Corp.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 169 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5854 pF @ 500 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 651W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 198A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,3mOhm bei 129,7A, 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA