P-Kanal 200 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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RF1S9640

DigiKey-Teilenr.
2156-RF1S9640-ND
Hersteller
Harris Corporation
Hersteller-Teilenummer
RF1S9640
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 200 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
500mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
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