N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 41W (Tc) Durchkontaktierung TO-251
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GSGG6504

DigiKey-Teilenr.
4786-GSGG6504-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GSGG6504
Beschreibung
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 41W (Tc) Durchkontaktierung TO-251
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,1Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
304 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251
Gehäuse / Hülle
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75€ 0,36400€ 27,30
150€ 0,34360€ 51,54
300€ 0,32683€ 98,05
525€ 0,31547€ 165,62
1 050€ 0,30366€ 318,84
2 550€ 0,29153€ 743,40
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