Name: GC20N65F
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65F-ND
Price: 3.936 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GC20N65F
DigiKey-Teilenr.	3141-GC20N65F-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GC20N65F
Beschreibung	N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	SuperJunction
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1603 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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10	€ 2,14900	€ 21,49
100	€ 1,50590	€ 150,59
500	€ 1,23132	€ 615,66
1 000	€ 1,14312	€ 1.143,12
2 000	€ 1,09042	€ 2.180,84

Standardverpackung des Herstellers

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