Name: GC060N65QF
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC060N65QF-ND
Price: 6.876 EUR
Availability: OutOfStock

Neu bei DigiKey

N-Kanal 650 V 50 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GC060N65QF
DigiKey-Teilenr.	3141-GC060N65QF-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GC060N65QF
Beschreibung	MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 50 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3395 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	388W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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